场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。
1、场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。
一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。
它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
2、场效应管分结型、绝缘栅型两大类。
结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。
目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。
3、按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。
若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。
结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
1.场效应管是一种半导体器件，用于控制电流流动的元件。
2.场效应管的工作原理是通过控制栅极电压来改变导电层的电荷密度，从而控制电流的流动。
当栅极电压变化时，导电层中的电荷密度也会相应变化，进而改变导电层的电阻，从而控制电流的大小。
3.场效应管具有很多优点，如高输入阻抗、低输出阻抗、低功耗等，因此在电子电路中被广泛应用。
它可以作为放大器、开关、电流源等多种功能的元件，被用于各种电子设备和系统中。
是通过将控制电场、源电流和漏电流之间的关系结合起来，以便把微弱的输入电压放大为得到大的输出电压。
在此机理中，介质（即场效应管）中的封闭控制电场对于内部控制晶体管控制的空洞的漏电流的注入量具有控制作用，而晶体管控制的掺杂出来的源电流则和空洞注入电流相互作用，从而起到放大输入电压的作用。
1.缺少保护电路.一般来说电路中应适当设置保护电路.以吸收电路中的瞬间高压.浪涌电压.保护关键元件.2.参数选取不合理.没有余地.效应管的耐压.电流都应该流有一定的余地.以保证正常使用.如果参数选取过于保守.基本相当于工作在超负荷下.时间长了则容易损坏.3.元件没有经过认真筛选.老化.或者根本就没有选用高质量的元件.在使用当中损坏的几率当然很大.
FinFET源自于传统标准的晶体管—场效应晶体管(Field-EffectTransistor；FET)的一项创新设计。
在传统晶体管结构中，控制电流通过的闸门，只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开，属于平面的架构。
在FinFET的架构中，闸门成类似鱼鳍的叉状3D架构，可于电路的两侧控制电路的接通与断开。
这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流(leakage)，也可以大幅缩短晶体管的闸长。
