具体如下:
1、磁电阻效应，是指对通电的金属或半导体施加磁场作用时会引起电阻值的变化。
其全称是磁致电阻变化效应。
磁电阻效应可以表达为式中（1）△ρ——有磁场和无磁场时电阻率的变化量；（2）ρ0——无磁场时的电阻率；（3）ρB——有磁场时的电阻率。
在大多数金属中，电阻率的变化值为正，而过渡金属和类金属合金及饱和磁体的电阻率变化值为负。
半导体有大的磁电阻各向异性。
利用磁电阻效应，可以制成磁敏电阻元件，其常用材料有锑化铟、砷化铟等。
磁敏电阻元件主要用来构造位移传感器、转速传感器、位置传感器和速度传感器等。
为了提高灵敏度，增大阻值，可把磁敏电阻元件按一定形状（直线或环形）串联起来使用。
2、所谓巨磁阻效应，是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。
巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。
这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。
当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的散射最小，材料有最小的电阻。
当铁磁层的磁矩为反平行时，与自旋有关的散射最强，材料的电阻最大。
巨磁阻（GMR）传感器是将4个GMR结构连接成电桥，再磁屏蔽其中相对的两个使对磁不敏感，当存在外部磁场时，未受屏蔽的两个GMR结构的电阻在磁场作用下发生阻值的改变，在外部恒压源或恒流源的激励下，桥的输出产生变化，从而达到对外部磁场测量的目的。
高抗磁性材料包括铁氧体、钴铁合金、镍铁合金、铁铌合金等。
这些材料具有较高的磁导率和低的磁滞损耗，能够有效抵抗外部磁场的干扰，广泛应用于电子设备、通信设备、医疗器械等领域。
它们具有稳定的磁性能，能够保持长时间的磁场稳定性，对于需要高精度和高稳定性的应用具有重要意义。
全程可变磁阻传感器是一种用于测量物理量的传感器。
其原理是基于磁阻效应，即当一个磁体在外加磁场的作用下，它的磁阻率发生变化。
全程可变磁阻传感器利用磁阻率的变化来测量外加物理量的变化，例如位移、角度、压力等。
该传感器由一个磁体和一个磁阻传感器组成。
当外加物理量发生变化时，会影响到磁体的位置或形状，从而影响到其磁阻率。
磁阻传感器会检测磁体的磁阻率变化，并将其转化为电信号输出，再根据输出信号的变化来确定外加物理量的变化。
由于全程可变磁阻传感器具有响应速度快、精度高、使用寿命长等优点，因此在工业领域中被广泛应用。
